无码av

无码av 教授，国家级青年人才，研究方向围绕国家亟需的功率半导体器件与电力电子应用技术，主要包括：SiC功率器件、SiC/GaN异质集成技术、半导体工艺、高压大容量万安培（A）级集成门极换流晶闸管（IGCT）等。所研制6英寸万安培级IGCT，应用于国家重点研发计划示范工程（东莞交直流混合新能源接入工程）、世界容量最大的柔性直流配电网工程（珠海能源互联网示范工程）；所研究新型宽禁带功率半导体器件及其关键工艺方法应用于英诺赛克公司高压功率因数校正器；提出了基于工程化体硅衬底的GaN桥式电路单芯片集成平台并通过英诺赛克公司进行产业孵化。在半导体器件、电力电子领域的主流期刊（TPEL、TIE等）发表学术论文60余篇；主持粤港澳大湾区科技合作资助国际合作项目、国家自然科学基金面上基金、航空基金、广东省粤深联合基金等纵向课题；获香港研资局PDF博士后奖学金（全球每年<50人）、中国电工技术学会科技进步一等奖、第二十三届中国专利奖、无码av 优秀班主任与学业导师等荣誉。

教育经历：

• 2009.09-2013.07 清华大学 电气工程 学士

• 2010.09-2013.07 清华大学 经济学 学士

• 2013.09-2018.07 清华大学 电气工程 博士 导师

• 2016.09-2017.05 剑桥大学 国家公派访学

工作经历：

• 2018.10-2022.06 香港科技大学 博士后（合作导师：Prof. Kevin J. Chen）

• 2022.07-2023.12 无码av 无码av 副教授

• 2024.01至今 无码av 无码av 教授

兼职情况：

清华大学高可靠功率器件研究中心学术委员会 专家；

国际深空探测协会 会员；

中国电源学会元器件委员会 委员；

中国电源学会青年工作委员会 委员

研究生课程：

《功率半导体器件》《电气学科前沿新技术》

本科课程：

《电工电子技术》《开关电源技术》《电气工程制图基础》

• 宇航级宽禁带功率器件、卫星电源、数据中心电源

• SiC/GaN异质集成技术

• 半导体工艺

• 高压大容量万安培（A）级集成门极换流晶闸管（IGCT）

获奖情况：

• 1. 香港研资局PDF奖（全球每年<50人，国际学术奖），香港政府研资局

• 2. 第二十三届中国专利奖（发明），国家知识产权局

• 3. 中国电工技术学会科技进步一等奖（省部级）

• 4. 无码av 优秀班主任、优秀学业导师

发明专利：

• 1. 基于钳位电路的短路工况动态电阻测试电路和方法

• 2. 一种氮化镓器件结构及其制备方法

• 3. 一种基于内嵌势垒层的新型外延结构及半导体功率器件

代表性论文：

• 1. G. Lyu, J. Wei, W. Song, Z. Zheng, L. Zhang, J. Zhang, Y. Cheng, S. Feng, Y. H. Ng, T. Chen, K. Zhong, J. Liu, R. Zeng, and K. J. Chen, “A GaN Power Integration Platform based on Engineered Bulk Si Substrate with Eliminated Crosstalk between High-side and Low-side HEMTs,” IEEE IEDM Tech. Dig., San Francisco, CA, USA, Dec. 2021.

• 2. G. Lyu, J. Wei, W. Song, Z. Zheng, L. Zhang, J. Zhang, S. Feng, and K. J. Chen, “GaN on Engineered Bulk Si (GaN-on-EBUS) Substrate for Monolithic Integration of High-/Low-side Switches in Bridge Circuits,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 69, no. 8, pp. 4162-4169, Aug. 2022.

• 3. G. Lyu, J. Sun, J. Wei and K. J. Chen, “Static and Dynamic Characteristics of a 1200-V/22-mΩ Normally-Off SiC/GaN Cascode Device Built With Parallel-Connected SiC JFETs Controlled by a Single GaN HEMT,” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 38, no. 10, pp. 12648-12658, Oct. 2023.

• 4. G. Lyu, Z. Yu, W. Zhou, C. Xu, Z. Chen, B. Zhao, J. Liu, and R. Zeng, “6-in Dual-Gate Ring Commutated Thyristor for DC Circuit Breakers,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 3, pp. 1444-1449, 2019.

• 5. G. Lyu, J. Sun, Y. Wang and K. J. Chen, “Short-Circuit Characteristics and High-Current Induced Oscillations in a 1200-V/80-mΩ Normally-Off SiC/GaN Cascode Device,” IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2022.